磷掺杂埋沟绝缘体上硅场效应晶体管中的杂质导电
其他凝聚态物理
2009-11-11 v1
摘要
我们研究了磷掺杂埋沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管在10至295 K温度范围内的输运。在约2.1至8.7 x 1017 cm-3的掺杂浓度范围内，我们发现低温下电导对栅压曲线中出现一个清晰的峰。此外，温度依赖性测量表明，电导在高达100 K以上的意外高温下仍遵循变程跳跃定律。我们使用的绝缘体上硅的对称双栅配置使我们能够全面表征电导的垂直偏压依赖性。与磷杂质带深度分布的计算机模拟比较揭示了杂质带能量的空间变化如何决定晶体管结构中的跳跃导电。我们得出结论，电导峰的出现和高温变程跳跃源于能带弯曲及其随栅压的变化。此外，发现峰结构与磷杂质带的态密度（DOS）密切相关，这表明通过输运实验有可能对磷（Si技术中至关重要的掺杂剂）的DOS进行一种新颖的光谱学研究。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607806,
title = {Impurity conduction in phosphorus-doped buried-channel silicon-on-insulator field-effect transistors},
author = {Yukinori Ono and Jean-Francois Morizur and Katsuhiko Nishiguchi and Kei Takashina and Hiroshi Yamaguchi and Kazuma Hiratsuka and Seiji Horiguchi and Hiroshi Inokawa and Yasuo Takahashi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607806},
year = {2009}
}
备注
9 figures