无序硅金属氧化物半导体场效应晶体管中跳跃指数的变化
强关联电子
2008-09-27 v9 无序系统与神经网络
摘要
我们在钠掺杂的硅 MOSFET 中观察到,跳跃指数的数值随无序强度和电子密度发生从 1/2 到 1/3 的复杂变化。无序通过施加栅极电压以及使离子在氧化物中热漂移到不同位置来调节。随后在低温下使用同一栅极来改变载流子浓度。磁导率测量与改变无序或电子密度时输运机制的变化相一致,这表明在这些体系中可能存在从莫特绝缘体到安德森绝缘体的转变。
引用
@article{arxiv.0705.4241,
title = {Variation of the hopping exponent in disordered silicon MOSFETs},
author = {T. Ferrus and R. George and C. H. W. Barnes and N. Lumpkin and D. J. Paul and M. Pepper},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.4241},
year = {2008}
}
备注
6 pages, 5 figures