低掺杂硅金属-氧化物-半导体场效应管中的无序性与电子相互作用控制
强关联电子
2010-10-12 v3
摘要
我们制造了硅金属-氧化物-半导体场效应管，其中在氧化物中加入了额外的钠掺杂层，以在Si-SiO2界面创建势能波动。这些波动幅度由氧化物中离子密度及其相对于Si-SiO2界面位置所控制。由于离子在室温下具有高迁移率，应用合适的电场即可移动其位置。在这种配置下，该器件可用于控制Si-SiO2界面上的无序性和电子-电子相互作用强度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0512172,
title = {Disorder and electron interaction control in low-doped silicon metal-oxide-semiconductor field effect transistors},
author = {T. Ferrus and R. George and C. H. W. Barnes and M. Pepper},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0512172},
year = {2010}
}
备注
3 pages, 2 figures