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钠掺杂硅MOSFETs中多杂质带的证据

强关联电子 2007-05-23 v3

作者: T. Ferrus , R. George , C. H. W. Barnes , N. Lumpkin , D. J. Paul , M. Pepper

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摘要

我们报告了在掺有钠杂质的硅金属-氧化物-半导体场效应管中测量的温度依赖电导率。我们解释了电导率变化的机制,即铁电相互作用部分被金属栅极的接近所屏蔽。通过研究电导数指数前置因子和随栅极电压变化的局域化长度,我们确定了电子态密度,并为该体系在低温下存在两个不同带和软隧穿提供了论据。

关键词

硅MOSFET 杂质带库仑相互作用态密度软隧穿

引用

@article{arxiv.cond-mat/0510145,
  title  = {Evidence for multiple impurity bands in sodium-doped silicon MOSFETs},
  author = {T. Ferrus and R. George and C. H. W. Barnes and N. Lumpkin and D. J. Paul and M. Pepper},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510145},
  year   = {2007}
}

备注

4 pages; 5 figures; Published in PRB Rapid-Communications