同价掺杂 BaFe$_2$(As$_{1-x}$P$_x$)$_2$ 的层间电阻率

在广泛的等电子磷掺杂范围（从 $x$=0 到 $x$=0.60）内，测量了铁基超导体 BaFe$_2$(As$_{1-x}$P$_x$)$_2$ 随温度变化的层间电阻率 $\rho_c(T)$，涵盖了从非超导母化合物到重度过掺杂超导组分（$T_c\approx 10 K$）的区间。在欠掺杂晶体中，$\rho_c(T)$ 清晰地分辨出由结构和磁相变引起的特征。在母化合物 BaFe$_2$As$_2$ 中约 200 K 处发现的 $\rho_c(T)$ 特征峰值，随着磷掺杂迅速向高温移动。在最佳掺杂处，层间电阻率表现出 $T$ 线性温度依赖性，且无任何交叉异常，这与先前报道的面内电阻率相似。这一观察结果与电子掺杂 Ba(Fe$_{1-x}$Co$_x$)$_2$As$_2$ 在最佳掺杂处发现的不同温度依赖性形成鲜明对比。我们的发现表明，尽管电阻率及其各向异性的数值相似，但电子掺杂和同价掺杂化合物在正常态下的随温度变化的输运性质却截然不同。面内和层间电阻率具有相似的温度依赖性，而两者的主导贡献来自费米面的不同部分，这表明整个费米面上的散射是相同的。由于预期磁涨落在准嵌套片层上要强得多，这一观察结果可能指向不同片层间轨道间散射的重要性。