拓扑绝缘体 Bi₂Se₃ 薄膜中的时间分辨太赫兹动力学
介观与纳米尺度物理
2015-06-23 v1 强关联电子
摘要
我们利用低温光泵浦–太赫兹探测光谱技术研究了不同厚度的薄 Bi₂Se₃ 薄膜中的热载流子响应，从而将体相瞬态响应与表面瞬态响应分离开来。我们发现，对于较薄的薄膜，光激发改变了输运散射率并降低了太赫兹电导率，该电导率在 10 皮秒内弛豫。对于较厚的薄膜，光激发使电导率增加，且随薄膜厚度和光通量的增加而标度，衰减时间约为 5 皮秒，同时具有更高的散射率。这些不同的动力学分别归因于表面电子和体相电子，并表明在低于特定薄膜厚度时，可以独立地获得长寿命的可移动表面光载流子，这可能适用于光电子学应用。
引用
@article{arxiv.1410.5666,
title = {Time-resolved terahertz dynamics in thin films of the topological insulator Bi$_{2}$Se$_3$},
author = {R. Valdés Aguilar and J. Qi and M. Brahlek and N. Bansal and A. Azad and J. Bowlan and S. Oh and A. J. Taylor and R. P. Prasankumar and D. A. Yarotski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.5666},
year = {2015}
}
备注
4+ pages, 3 figures. Submitted