拓扑绝缘体薄膜中的体饱和吸收
强关联电子
2016-12-12 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们采用开孔Z扫描技术，研究了脉冲激光沉积在石英衬底上的拓扑绝缘体（TI）Bi2Se3薄膜的非线性光学吸收特性。发现所沉积薄膜的饱和强度相比先前文献报道的值提高了一个数量级。以往文献结果在确定饱和吸收是来自表面态还是体态方面尚无定论。利用专门设计的磁性掺杂TI样品实验，我们能够将TI的饱和吸收特性归因于体态。文中详细讨论了实验步骤并对观测结果给出了可能的解释。
引用
@article{arxiv.1612.02977,
title = {Bulk Saturable absorption in Topological Insulator thin Films},
author = {Radha Krishna Gopal and Deepak K. S. Ambast and Sourabh Singh and Jit Sarkar and Bipul Pal and Chiranjib Mitra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.02977},
year = {2016}
}