用于拓扑绝缘体薄膜的结构与化学兼容BiInSe3衬底
材料科学
2020-06-25 v2
摘要
外延薄膜的质量强烈依赖于其与衬底在结构和化学上的匹配程度：匹配越紧密，薄膜质量越好。诸如Bi2Se3薄膜之类的拓扑绝缘体（TI）也不例外。然而，目前尚不存在在结构和化学上均与TI薄膜匹配的商业化衬底，其匹配水平远不及其他电子材料常用的衬底。在此，我们引入BiInSe3块体晶体作为Bi2Se3薄膜的最佳衬底。由于BiInSe3衬底所提供的结构和化学匹配，这些薄膜展现出优于其他衬底上的表面形貌、更低的缺陷密度以及更高的霍尔迁移率。BiInSe3衬底有望加速TI研究与应用的进展。
引用
@article{arxiv.2005.10363,
title = {Structurally and Chemically Compatible BiInSe3 Substrate for Topological Insulator Thin Films},
author = {Xiong Yao and Jisoo Moon and Sang-Wook Cheong and Seongshik Oh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.10363},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 4 figures, accepted to Nano Research