用于扩展红外探测的少层 MoS$_2$/a-Si:H 异质结 pin 光电二极管
应用物理
2019-07-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
少层二硫化钼（FL-MoS）薄膜已被集成到非晶硅（a-Si:H）pin 光电探测器中。为此，通过等离子体增强化学气相沉积（PE-CVD）在大规模合成并转移的均匀 FL-MoS 上生长了垂直 a-Si:H 光电二极管。这种新型探测器阵列具有长期稳定性（超过六个月），并在红外范围（IR， = 2120 nm）内以高达 50 mAW 的灵敏度优于传统硅基 pin 光电探测器。实现了高达 2 x 10 Jones 的探测率和 3% 的外量子效率。该探测器还具有偏压依赖的在不同光谱范围间响应度切换的附加功能。此类可扩展探测器阵列的实现是迈向在红外光谱范围内工作的像素化与波长选择性传感器的重要一步。
引用
@article{arxiv.1907.09592,
title = {Few-Layer MoS$_2$/a-Si:H Heterojunction pin-Photodiodes for extended Infrared Detection},
author = {Andreas Bablich and Daniel S. Schneider and Paul Kienitz and Satender Kataria and Stefan Wagner and Chanyoung Yim and Niall McEvoy and Olof Engstrom and Julian Müller and Yilmaz Sakalli and Benjamin Butz and Georg S. Duesberg and Peter Haring Bolívar and Max C. Lemme},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.09592},
year = {2019}
}