纳米场效应晶体管传感器的标度律
材料科学
2009-11-13 v1 统计力学
摘要
半导体纳米线和碳纳米管在结合带电分子时表现出灵敏的电导变化，提供了一种通常被称为纳米场效应晶体管（nanoFET）传感器的新型传感模式。本文通过将纳米板简化为分子受体位于格点上的随机电阻网络，研究了纳米板场效应晶体管传感器的标度律。纳米线/纳米管场效应晶体管被包含为器件宽度趋小的极限情况。计算机模拟表明，结合分子施加的场效应强度对标度行为有显著影响。当场效应强度较小时，纳米场效应晶体管的尺寸和形状依赖性很小。相比之下，当场效应强度变强时，电荷积累型场效应晶体管存在一个检测下限，而电荷耗尽型场效应晶体管传感器存在一个检测上限。在这些阈值处，纳米场效应晶体管器件经历从低灵敏度到高灵敏度的转变。这些阈值可能设定了纳米场效应晶体管传感器的检测极限，但可以通过设计具有极短源漏距离和大宽度的器件来消除。
引用
@article{arxiv.0710.1308,
title = {Scaling Laws for NanoFET Sensors},
author = {Fu-Shan Zhou and Qi-Huo Wei},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.1308},
year = {2009}
}