使用量子模型的纳米线场效应晶体管三维模拟
介观与纳米尺度物理
2010-08-19 v1
摘要
在摩尔定律验证超过30年后，CMOS技术已进入纳米尺度（亚100纳米）领域并面临严峻限制。纳米线晶体管是一种有潜力克服SOI MOSFET中短沟道效应问题的候选器件，并已引起器件和电路开发者的广泛关注。除了由于栅极控制能力增强而有效抑制短沟道效应外，多栅极NWFET还表现出优异的电流驱动能力，并具有与传统CMOS工艺兼容的优点。为了模拟这些器件，需要基于量子力学的精确建模和计算来评估其性能极限，因为多栅极NWFET的横截面在最终缩小时预计只有几纳米宽。在本文中，我们探索了使用包含玻姆量子势（BQP）的ATLAS软件来模拟和研究纳米线场效应晶体管的短沟道行为。
引用
@article{arxiv.1008.3006,
title = {3D Simulation of Nanowire FETs using Quantum Models},
author = {Vijay Sai Patnaik and Ankit Gheedia and M. Jagadesh Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3006},
year = {2010}
}
备注
http://www.silvaco.com/tech_lib_TCAD/simulationstandard/latest.html