(GeTe)$_{l}$(Sb$_{2}$Te$_{3}$)$_{m}$ 界面相变存储材料的相干声子研究

我们在室温及高于 RESET-SET 相变温度的条件下，对界面相变存储 (iPCM) 材料 ([(GeTe)$_{2}$(Sb$_{2}$Te$_{3}$)$_{4}$]$_{8}$ 和 [(GeTe)$_{2}$(Sb$_{2}$Te$_{3}$)$_{1}$]$_{20}$) 以及传统的 Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ 合金进行了时间分辨反射率测量。在高温相中，iPCM 样品中清晰观察到了相干声子，而在合金中则引发了相干声子的剧烈衰减。这种差异强烈表明，iPCM 在相变过程中的原子重排远小于合金。这些结果与独特的相变模型一致，即 iPCM 发生 Ge 原子的准一维位移，而合金发生传统的非晶 - 晶体相变。