具有范德瓦耳斯界面的界面相变存储器中由外尔节点辅助的电导开关
材料科学
2017-12-20 v1
摘要
界面相变存储器（iPCM）GeTe/Sb2Te3是下一代非易失性随机存取存储器的有前景候选者，展现出迷人的拓扑性质。取决于GeTe块的原子层堆叠序列，iPCM可处于SET（Ge-Te-Ge-Te）或RESET（Te-Ge-Ge-Te）状态，其中前者表现出铁电极化，且电导率比RESET状态大两个数量级。但其起源仍不清楚。在此，我们预测在SET状态中由打破晶体反演对称性的铁电极化诱导出现了外尔半金属相。我们表明SET相的巨大电导增强是由于无间隙外尔节点的出现。外尔半金属iPCM的Ge-Te-或Sb-Te-终止表面产生具有完全不同拓扑的表面态，其中前者仅由费米弧组成，而后者由闭合费米面和开放费米弧共同组成。具有范德瓦耳斯界面的iPCM为未来存储器件应用中利用奇异外尔性质提供了理想平台。
引用
@article{arxiv.1702.05579,
title = {Weyl node assisted conductivity switch in interfacial phase change memory with van der Waals interfaces},
author = {Jinwoong Kim and Jeongwoo Kim and Young-Sun Song and Ruqian Wu and Seung-Hoon Jhi and Nicholas Kioussis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.05579},
year = {2017}
}
备注
9 pages, 5 figures