MoTe2 中 II 型外尔半金属态的电子学证据
材料科学
2016-04-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
拓扑量子材料，包括拓扑绝缘体和超导体、狄拉克半金属和外尔半金属，因其独特的电子结构、自旋织构和物理性质而近期备受关注。最近，提出了一种新型外尔半金属，其中外尔费米子出现在物质新相中电子口袋和空穴口袋的边界处，这与具有点状费米面的标准 I 型外尔半金属不同。这种 II 型半金属中的外尔锥强烈倾斜，相关的费米面经历 Lifshitz 相变，从而产生新型手征反常和其他新物理现象。MoTe2 被提议为 II 型外尔半金属的候选者；其拓扑态对晶格常数和关联的敏感性也使其成为探索可能拓扑相变的理想平台。通过进行具有前所未有的高分辨率的基于激光的角分辨光电子能谱（ARPES）测量，我们揭示了 MoTe2 中 II 型半金属态的电子学证据。我们建立了与能带结构计算一致的 MoTe2 体态和表面态的全景图。识别出连接体空穴口袋和体电子口袋的单一表面态分支。详细的温度依赖 ARPES 测量显示了位于费米能级上方约 40 meV 处的高强度斑点状特征，其动量空间位置与 II 型外尔点的理论预期一致。我们的结果构成了关于外尔半金属态性质的电子学证据，支持 MoTe2 中存在两组 II 型外尔点。
引用
@article{arxiv.1604.01706,
title = {Electronic Evidence for Type II Weyl Semimetal State in MoTe2},
author = {Aiji Liang and Jianwei Huang and Simin Nie and Ying Ding and Qiang Gao and Cheng Hu and Shaolong He and Yuxiao Zhang and Chenlu Wang and Bing Shen and Jing Liu and Ping Ai and Li Yu and Xuan Sun and Wenjuan Zhao and Shoupeng Lv and Defa Liu and Cong Li and Yan Zhang and Yong Hu and Yu Xu and Lin Zhao and Guodong Liu and Zhiqiang Mao and Xiaowen Jia and Fengfeng Zhang and Shenjin Zhang and Feng Yang and Zhimin Wang and Qinjun Peng and Hongming Weng and Xi Dai and Zhong Fang and Zuyan Xu and Chuangtian Chen and X. J. Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.01706},
year = {2016}
}
备注
15 Pages, 4 Figures