(GeTe)n(Sb2Te3)m 中的光致相变
材料科学
2016-01-20 v1
摘要
我们提出了一种关于 Ge-Sb-Te 相变存储合金从非晶相到晶相的光转换的现象学描述，该描述解释了为什么从六方相到四面体相的转变既需要光激发又需要高温 T > 160°C。在高温下化学势的位置允许光诱导地产生晶相核粒子（原子）的逆布居，而这些核粒子在否则情况下是不稳定的。随后，逆布居在相邻的 Te 和 Ge 离子上积累空穴，并通过将 Ge 离子推入间隙位置以最小化库仑排斥能来锁定光转换转变。
引用
@article{arxiv.1601.04982,
title = {On the photoinduced phase transition in (GeTe)n(Sb2Te3)m},
author = {S. M. Yakubenya and A. S. Mishchenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.04982},
year = {2016}
}
备注
8 pages,1 figure