CuxBi2Se3 中依赖于掺杂的电荷动力学
超导电性
2014-09-19 v1
摘要
超导 CuxBi2Se3 作为拓扑超导体的候选者引起了广泛关注。除了诱导超导电性外，在该材料中引入 Cu 原子还被观察到在直流输运和磁化率测量中产生许多异常特征。为了阐明 Cu 掺杂的影响，我们对 CuxBi2Se3 的电子结构进行了系统的光谱学研究，考察了其随 Cu 掺杂的变化。我们的测量结果显示导带有效质量增加，而当 Cu 含量大于 x=0.15 时，自由载流子密度和寿命保持相对恒定。质量的增加自然地解释了超流密度和剩余电阻率的趋势，并暗示了 Bi2Se3 中 Cu 掺杂的复杂性质。
引用
@article{arxiv.1409.5206,
title = {Doping-dependent charge dynamics in CuxBi2Se3},
author = {Luke J. Sandilands and Anjan A. Reijnders and Markus Kriener and Kouji Segawa and Satoshi Sasaki and Yoichi Ando and Kenneth S. Burch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.5206},
year = {2014}
}
备注
7 pages, 4 figures