一种合成超导 Cu 掺杂 Bi2Se3 的组合方法
超导电性
2016-03-08 v1
摘要
我们提出一种用于合成超导 CuxBi2Se3 的两步法。使用熔体生长法合成 Cu0.15Bi2Se3 单晶。尽管这些样品不超导，但若在随后的电化学合成步骤中用作前驱体，可生成高质量超导样品。由 Cu0.15Bi2Se3 制成的样品即使在非最优淬火条件下也能可靠地展现零电阻，而由原始 Bi2Se3 制成的样品需要精细调节淬火条件才能达到类似性能。此外，在最优淬火条件下，由原始 Bi2Se3 制成的样品的平均超导屏蔽分数仍低于由 Cu0.15Bi2Se3 制成的样品。这些结果表明预掺杂的 Cu 原子促进了超导渗流网络的形成。我们还讨论了关于导致超导的 Cu 掺杂原子位置所收集的有用线索。
引用
@article{arxiv.1603.01663,
title = {A combined method for synthesis of superconducting Cu doped Bi2Se3},
author = {Meng Wang and Yanru Song and Lixing You and Zhuojun Li and Bo Gao and Xiaoming Xie and Mianheng Jiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.01663},
year = {2016}
}
备注
13 pages, 3 figures