高压下掺杂拓扑绝缘体 Cu$_x$Bi$_2$Se$_3$ 的超导性
超导电性
2015-06-03 v1
摘要
我们报道了拓扑超导体 CuBiSe 的高压单晶研究。高压下的电阻率测量表明，超导性被平稳抑制。同时，金属行为逐渐消失。高压下的上临界场数据 坍缩至一条普适曲线上。Pauli 极限的缺失以及将 与极化态函数的比较指向自旋三重态超导，但各向异性自旋单态也不能被完全排除。
引用
@article{arxiv.1112.0102,
title = {Superconductivity in the doped topological insulator Cu$_x$Bi$_2$Se$_3$ under high pressure},
author = {T. V. Bay and T. Naka and Y. K. Huang and H. Luigjes and M. S. Golden and A. de Visser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.0102},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures; accepted for publication in PRL