HgBa2CaCu2O6+δ 与 HgBa2Ca2Cu3O8+δ 晶体的生长与表征

我们报道了铜氧化物超导体 HgBa$_{2}$CaCu$_{2}$O$_{6+\delta}$ 和 HgBa$_{2}$Ca$_{2}$Cu$_{3}$O$_{8+\delta}$ 单晶的成功合成。这些化合物以其分别在常压下 128 K 和 134 K 的高最佳超导临界温度 $T_\mathrm{c}$ 以及具有挑战性的合成工艺而著称。利用传统的石英管封装方法和利用定制高压炉的两层封装方法，我们能够生长出沿 CuO$_2$ 面平行方向线度达数毫米的单晶。研究表明，延长生长后退火可导致尖锐的超导转变，表明具有高宏观均匀性。X 射线衍射和偏振拉曼光谱被确定为可分辨这两种化合物看似不可避免的共生现象的可行方法。我们的工作有助于消除使用需要大尺寸高质量晶体的实验探针来研究这些模型铜氧化物体系的障碍。