高温超导体模型化合物 HgBa2CuO4+{\delta} 的晶体生长与掺杂调控
超导电性
2018-12-07 v3
摘要
报道了一种生长高质量超导 HgBa2CuO4+{\delta} 汞铜酸盐单晶的新方法。该单晶呈片状,表面具有高超光学质量和良好的晶体学性质。退火可将 Tc 优化至 Tcmax = 94 K。通过适当处理,晶体样品的掺杂水平可在较宽的欠掺杂和过掺杂范围内精细调控。首次给出了不同掺杂水平下基于单晶 X 射线衍射数据的完整结构表征。还研究了添加金对掺杂的作用。通过微拉曼光谱测量确定了纯晶体和金取代晶体欠掺杂与过掺杂的特征。
引用
@article{arxiv.1812.01489,
title = {Crystal Growth and Doping Control of HgBa2CuO4+{\delta}, the Model Compound for High-Tc Superconductors},
author = {Anaëlle Legros and Bastien Loret and Anne Forget and Patrick Bonnaillie and Gaston Collin and Pierre Thuéry and Alain Sacuto and Dorothée Colson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.01489},
year = {2018}
}
备注
9 pages,6 figures, 3 tables