欠掺杂 Bi-2223 的单晶生长
超导电性
2015-03-20 v1
摘要
为了研究三层铜氧化物超导体 Bi2Sr2Ca2Cu3O10+{\delta} (Bi-2223) 增强的 ({\approx} 110 K) 的起源，其欠掺杂单晶是一个关键要求。在此，我们展示了首次对重欠掺杂 Bi-2223（零电阻温度{\approx} 20~35 K）成功进行的面内电阻率测量。文章还报道了详细的晶体生长方法、退火工艺，以及 X 射线衍射 (XRD) 和磁化率测量结果。
引用
@article{arxiv.1503.05688,
title = {Single-crystal growth of underdoped Bi-2223},
author = {S. Adachi and T. Usui and K. Takahashi and K. Kosugi and T. Watanabe and T. Nishizaki and T. Adachi and S. Kimura and K. Sato and K. M. Suzuki and M. Fujita and K. Yamada and T. Fujii},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.05688},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures, 27th International Symposium on Superconductivity, ISS 2014, to appear in Physics Procedia