Cu掺杂对TaSe$_3$超导性的影响：超导与诱导电荷密度波的关系
超导电性
2019-01-10 v1
摘要
通过测量电阻的温度依赖关系，我们研究了Cu掺杂对Cu掺杂TaSe中超导性(SC)的影响，其中电荷密度波(CDW)转变由Cu掺杂诱导。我们观察到在较高Cu浓度的样品中出现超导转变温度()下降的区域，并发现该区域随Cu浓度增加而趋于扩展。此外，Cu掺杂TaSe的上临界场()的温度依赖不同于纯TaSe。基于这些实验结果以及TaSe的超导为丝状的事实，我们得出结论：SC被Cu掺杂局域抑制，并在Cu掺杂TaSe中与CDW竞争。由CDW转变引起的电阻反常极小，且反常大小随Cu浓度增加而增强，但反常出现温度几乎不变。这一反常结果及SC的局域抑制意味着诱导的CDW是Cu原子附近的短程有序。我们还讨论了CDW钉扎对SC与短程有序CDW之间关系的影响。
引用
@article{arxiv.1811.09299,
title = {Effect of Cu doping on superconductivity in TaSe$_3$: Relationship between superconductivity and induced charge density wave},
author = {Atsushi Nomura and Kazuhiko Yamaya and Shigeru Takayanagi and Koichi Ichimura and Satoshi Tanda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.09299},
year = {2019}
}
备注
7 pages, 6 figures, 1 table