通过离子注入实现 n 型硫族化物
材料科学
2014-11-27 v1
摘要
载流子类型反转以实现半导体 p-n 结的形成是许多电子应用的前提。硫族化物玻璃是 p 型半导体，其应用受到难以获得 n 型导电性的极大限制。形成硫族化物玻璃 p-n 结的能力可以提高相变存储器和热电设备的性能，并允许对非线性光学器件进行直接电子控制。此前，载流子类型反转仅限于 GeCh (Ch=S, Se, Te) 族玻璃，且需要在高温玻璃熔融过程中掺入非常高浓度的 Bi 或 Pb（5 至 11 at.%）。在此，我们报告了首次通过向 GeTe 和 GaLaSO 非晶薄膜中注入 Bi 离子来实现硫族化物玻璃的 n 型掺杂，并在 Bi 注入的 GaLaSO 器件中展示了整流效应和光电流。观察到 Bi 的电掺杂效应所需的浓度比 Bi 熔融掺杂的 GeCh 玻璃低 100 倍。
引用
@article{arxiv.1411.7044,
title = {n-Type Chalcogenides by Ion Implantation},
author = {Mark A. Hughes and Yanina Fedorenko and Behrad Gholipour and Jin Yao and Tae-Hoon Lee and Russell M. Gwilliam and Kevin P. Homewood and Steven Hinder and Daniel W. Hewak and Stephen R. Elliott and Richard J. Curry},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.7044},
year = {2014}
}