GeSbTe相变合金费米能级附近能带结构的映射
材料科学
2018-01-18 v2
摘要
相变合金用于非易失性随机存取存储器，利用非晶与亚稳晶相之间的电导率对比。然而，这种对比从未被直接与电子能带结构相关联。在此，我们采用光电子能谱来映射亚稳外延GeSbTe薄膜的相关能带。靠近费米能级的价带等能面是六角形管状，在垂直于(111)表面的方向上色散很小。负责输运的电子密度属于该体价带的尾部，其因无序而展宽，即费米能级位于价带顶上方100 meV处。该结果与此类薄膜在载流子密度和散射时间方面的输运数据一致。此外，我们在体带隙中发现了一个具有线性色散的态，其可能源于拓扑性质。
引用
@article{arxiv.1708.08787,
title = {Mapping the band structure of GeSbTe phase change alloys around the Fermi level},
author = {Jens Kellner and Gustav Bihlmayer and Marcus Liebmann and Sebastian Otto and Christian Pauly and Jos Emiel Boschker and Valeria Bragaglia and Stefano Cecchi and Rui Ning Wang and Volker L. Deringer and Philipp Küppers and Priyamvada Bhaskar and Evangelos Golias and Jaime Sánchez-Barriga and Richard Dronskowski and Thomas Fauster and Oliver Rader and Raffaella Calarco and Markus Morgenstern},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.08787},
year = {2018}
}
备注
14 pages, 6 figures, 5 tables