基于钒氧化物的硅光子存储器超高耐久性
光学
2025-02-04 v2 应用物理
摘要
硅光子学因应新兴技术（如神经网络）的严苛资源需求而成为可行方案。在此框架下，光子存储器是光子集成电路的基本构件，但由于能耗、速度、占地或制造复杂度等不同指标之间的多种权衡，尚未找到标准化解决方案。特别是，迄今为止尚未出现表现出超高耐久性（> 10^6 次循环）的光子存储器。本文报道了一种基于钒氧化物（VO_2）的硅光子存储器，实现记录的循环寿命可达 10^7 次且无退化。此外，存储器具有小于 5 微米的超紧凑 footprint，并具备亚纳秒级和皮焦耦级编程性能。我们的硅光子存储器可用于需要大量存储器更新的新兴光子应用，例如具有原位训练的光子神经网络。
引用
@article{arxiv.2403.10162,
title = {Ultra-high endurance silicon photonic memory using vanadium dioxide},
author = {Juan José Seoane and Jorge Parra and Juan Navarro-Arenas and María Recaman and Koen Schouteden and Jean Pierre Locquet and Pablo Sanchis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.10162},
year = {2025}
}