硅光学存储器：基于Si-SiO$_2$迟滞效应的非易失性光电器件
应用物理
2024-01-09 v1 光学
摘要
实现片上非易失性光学存储器一直是一个积极追求的目标，有望显著增强光子集成电路的能力和能效。本文展示了一种仅使用半导体基础材料硅的新型光学存储器。通过操控该器件的光电效应，我们在硅-氧化硅界面引入了迟滞效应，进而实现了具有稳健保持性和耐久性的多级非易失性光学数据存储。这种新型硅光学存储器为标准硅工艺中实现光学数据存储提供了一条独特简单且易于实现的途径。
引用
@article{arxiv.2401.03414,
title = {Silicon Optical Memory: Non-Volatile Optoelectronic Devices via Si-SiO$_2$ Hysteresis Effect},
author = {Yuan Yuan and Yiwei Peng and Stanley Cheung and Wayne V. Sorin and Zhihong Huang and Di Liang and Marco Fiorentino and Raymond G. Beausoleil},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.03414},
year = {2024}
}