硅氮化物在硅器件中的记忆效应
凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
当前硅器件中使用的主导介电材料是硅氧化物。由于其存在若干基本局限性，导致半导体器件可靠性低以及需要替代介电材料。氟化硅氮和氧化硅氮目前被视为硅氧化物的替代品。在氟化硅氮中，一种独特特性是电子和空穴通过深阱捕获，且在捕获状态下的寿命极长（约 10 年），即所谓的记忆效应。该特性被用于计算机中的存储器器件和微处理器。在众多努力下，导致该材料记忆效应的阱的本质至今尚不清楚。本文我们采用量子化学模拟讨论了此类阱的性质。计算结果表明，导致氟化硅氮中电子和空穴捕获的缺陷可能是由过量硅原子所创建的 Si-Si 缺陷。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0011435,
title = {Memory Effect in Silicon Nitride in Silicon Devices},
author = {V. A. Gritsenko and Yu. N. Morokov and Yu. N. Novikov and J. B. Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0011435},
year = {2007}
}
备注
4 pages, LaTex