MOS 器件失效所致陷阱的本质
凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
现代电子器件中大量芯片的失效通常与不希望的电荷（电子和空穴）被捕获到晶体管中薄硅氧化物薄膜中的陷阱有关。这会导致晶体管失效或其特性发生毁灭性变化。建议在下一代纳米器件中，硅氧化物将被取代为硅氮氧化物。因此，理解该材料陷阱的本质非常重要。我们采用量子化学模拟讨论了这一本质。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0011241,
title = {Nature of traps responsible for failure of MOS devices},
author = {V. A. Gritsenko and P. M. Lenahan and Yu. N. Morokov and Yu. N. Novikov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0011241},
year = {2007}
}
备注
4 pages, LaTex, 1 gif file with 2 figures