MOS器件中高温电子俘获的原子起源
材料科学
2016-06-13 v1
摘要
基于宽禁带半导体的MOSFET适用于高温工作，在高温下，在较低温度下无害的额外原子尺度过程可能被激活，导致器件退化。最近，在温度高于150{\deg}C的SiC MOSFET中，在正偏压条件下观察到电子俘获显著增强。在此，我们报道第一性原理计算，表明增强的电子俘获与SiO2中氧空位热激活捕获第二个电子有关，通过该过程空位转变为一种新结构，该结构包含一个硅悬键以及五配位与四配位硅原子之间的键。结果表明氧空位及其结构重构在高温MOS器件可靠性中起关键作用。
引用
@article{arxiv.1503.03602,
title = {Atomic origin of high temperature electron trapping in MOS devices},
author = {Xiao Shen and Sarit Dhar and Sokrates T. Pantelides},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.03602},
year = {2016}
}