具有 Si 注入源漏的 GaSb p 沟道 MOSFET 的温度依赖特性
材料科学
2014-02-25 v1
摘要
本文展示了具有原子层沉积 Al2O3 栅介质和自对准 Si 注入源漏的 GaSb p 沟道 MOSFET。针对源漏杂质激活优化了热退火条件。研究了电学特性的温度依赖性。在两个不同的温度区域观察到了不同的电学行为，并提出了其 underlying 机制。在低温区域，关态漏电流以产生电流为主；而在高温区域，则以扩散电流为主。
引用
@article{arxiv.1402.5598,
title = {Temperature dependent characteristics of GaSb p-channel MOSFETs with Si-implanted source and drain},
author = {Lianfeng Zhao and Zhen Tan and Jing Wang and Jun Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.5598},
year = {2014}
}
备注
9 pages, 4 figures