硅衬底上生长的 GaN 发光二极管的高温性能增强
材料科学
2016-03-10 v2
摘要
我们比较了商用生长在硅和蓝宝石衬底上的 GaN 发光二极管（LED）的光学和电学特性的温度依赖性。与常规预期相反，通常被称为 GaN-on-Si LED 的生长在硅衬底上的 LED，即使在具有更多穿线位错的情况下，在较高温度下也表现出更小的效率 droop。结温分析表明，尽管与生长在蓝宝石衬底上的 LED 相比具有相同的外延结构和封装，GaN-on-Si LED 具有更低的结温。我们还观察到对于 GaN-on-Si LED，理想因子随环境温度升高而减小，表明理想二极管电流随温度增加。应变和温度系数测量分析表明，与生长在蓝宝石上的 LED 相比，GaN-on-Si LED 有源区内的空穴传输效率提高，这解释了其较小温度依赖的效率 droop。
引用
@article{arxiv.1603.02338,
title = {Enhanced high-temperature performance of GaN light-emitting diodes grown on silicon substrates},
author = {Hyun Kum and Namsung Kim and Young Hwan Park and Joosung Kim and Daemyung Chun and Jongsun Maeng and Yuseung Kim and Jun-Youn Kim and Dong-Pyo Han and Dong-Soo Shin and Jong-In Shim and Young Soo Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.02338},
year = {2016}
}