背栅少层MoS₂上颗粒状Pb膜的超绝缘行为

我们报告了一种超绝缘行为，在背栅少层MoS₂上具有颗粒状Pb膜的器件中，在与块体Pb的临界温度 $T_{\rm C}\approx7$ K相同的起始温度以下出现。低于 $T_{\rm C}$，电流-电压特性表现出阈值电压，标志着低偏压绝缘态与高偏压正常电阻态之间的 crossover，与已知的超绝缘态行为一致。还发现了一个温度依赖的临界磁场，超过该磁场后绝缘行为被抑制。阈值电压随栅压变化，但临界磁场保持不变。随着温度降低，样品电导率饱和到一个有限值，该值依赖于磁场和栅压。这种饱和行为被发现与电荷BKT和热激活模型不一致，但可以很好地用热激活和量子涨落的组合来拟合。