利用单电子统计测量介观量子电子系统的温度
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v2 量子气体
统计力学
摘要
我们通过金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）量子点中界面处超稀薄二维电子气构成的介观系统中，利用靠近界面的点缺陷对电子的俘获和发射来测量其温度。与之前的报道相反，我们表明硅n-MOSFET中点缺陷的俘获和发射过程在低至800 mK的温度下仍具有温度依赖性。由于有限量子巨正则系综模型适用，缺陷中的时域电荷涨落被用于确定沟道中少数电子气的温度。
引用
@article{arxiv.1002.0037,
title = {Measuring the Temperature of a Mesoscopic Quantum Electron System by means of Single Electron Statistics},
author = {Enrico Prati and Matteo Belli and Marco Fanciulli and Giorgio Ferrari},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.0037},
year = {2015}
}
备注
4 Figures (color)