对硅纳米结构中延迟氧化效应的理解
材料科学
2012-07-11 v1
摘要
本文提出了对硅纳米结构氧化过程中观察到的延迟氧化现象的深入理解。各种硅纳米结构（如纳米梁、凹/凸纳米环和纳米线）的湿法热氧化表现出极其不同且复杂的行为。通过模拟氧化过程中产生的机械应力，对这些效应进行了研究，从而解释了延迟机制。该模型描述了硅纳米线小至几纳米的氧化动力学，同时通过正确考虑氧化硅中的塑性流动所导致的弛豫效应，预测了 Si/SiO 界面处合理且物理的应力水平。
引用
@article{arxiv.1203.2803,
title = {Understanding of the Retarded Oxidation Effects in Silicon Nanostructures},
author = {C. Krzeminski and X. -L. Han and G. Larrieu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.2803},
year = {2012}
}