解读掺杂硅中增强 - 阻滞氧扩散的机制
材料科学
2014-01-17 v2
摘要
本文通过第一性原理计算研究了掺杂硅中氧的增强 - 阻滞扩散现象。我们发现，氧二聚体的迁移不会受到应变、掺杂类型或掺杂浓度的显著影响。我们将 p 型掺杂硅中氧扩散的增强归因于单体迁移能的降低，而将 Sb 掺杂硅中氧扩散的阻滞归因于氧在掺杂位点附近的捕获。这两种提出的动力学和热力学机制可能同时存在，并可能导致相互矛盾的实验结果。此类机制可能涉及太阳能级硅中的光致退化现象。
引用
@article{arxiv.1310.2762,
title = {Deciphering mechanisms of enhanced-retarded oxygen diffusion in doped Si},
author = {Dilyara Timerkaeva and Damien Caliste and Pascal Pochet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.2762},
year = {2014}
}