耦合势垒扩散：硅中氧的情况
凝聚态物理
2009-10-28 v1
摘要
硅中的氧迁移对应于相邻桥位之间的一个看似简单的跳跃。然而，迄今为止广泛的理论计算产生了相互矛盾的结果，并且未能对观测到的 eV 激活能给出令人满意的解释。我们报告了一套全面的第一性原理计算，这些计算表明，看似简单的氧跳跃实际上是一个涉及耦合势垒的复杂过程，并且可以用具有“鞍脊”的能量超曲面和约 eV 的激活能进行定量描述。早期的计算对应于该超曲面上的不同点或线。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9511110,
title = {Coupled-barrier diffusion: the case of oxygen in silicon},
author = {Madhavan Ramamoorthy and Sokrates T. Pantelides},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9511110},
year = {2009}
}
备注
4 Figures available upon request. Accepted for publication in Phys. Rev. Lett