矽晶体与锗晶体中内位氧气扩散的通用模型
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我們對硅与锗晶体中氧气扩散进行了理论建模，既考虑常温下也考虑高水平水压情形，采用分子力学、半经验法以及初步方法。我们确定，内位氧气原子 (Oi) 的扩散过程由其最近三个硅（锗）原子之最佳配置所控制。计算得到的活化能 Ea(Si)= 2.59 eV、Ea(Ge)= 2.05 eV 以及预指数因子 Do (Si) = 0.28 cm² s⁻¹、Do (Ge) = 0.39 cm² s⁻¹，均与实验值良好吻合，并且首次准确描述了硅晶体中 Oi 扩散常数的实验温度依赖性 (T=350-1200°C)。在水压 P<80 kbar下，扩散势垒呈线性下降 (对硅晶体 dEa/dP = -4.38×10⁻³ eV kbar⁻¹)。我们计算得到的硅晶体中 Oi 扩散随压力变化之结果，亦与氧气相关热捐体之压力增强初始生长之现象相符。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412433,
title = {General Model of Diffusion of Interstitial Oxygen in Silicon and Germanium Crystals},
author = {Vasilii Gusakov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412433},
year = {2009}
}
备注
First Cadres Workshop 2004. 6 pages, 2 figures