硅上热生长氧化硅薄膜中的扩散-反应
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
在干O2中硅上热生长氧化硅薄膜被建模为一个动力学系统，假设其本质上是一种扩散-反应现象。近十年来的相关发现被纳入其中，如氧化物/Si界面的结构与组成以及生长初始阶段的O2传输与反应。本模型偏离了成熟的Deal和Grove框架（Deal, B.E. and Grove, A. S. General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon, J. Appl. Phys. 36, 3770-3778 (1965)），表明其基本假设、稳态 regime 以及O2与Si在尖锐氧化物/Si界面的反应仅渐近地达到。多位作者在不同生长参数范围内获得的实验生长动力学表明，当探索该模型方程的标度性质时，它们会坍缩为一条单一曲线。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9901335,
title = {Diffusion-reaction in thermal growth of silicon oxide films on Si},
author = {R. M. C. de Almeida and S. Goncalves and I. J. R. Baumvol and F. C. Stedile},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9901335},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures