硅与钨纳米线中自限制氧化的二维建模
材料科学
2019-11-21 v1 介观与纳米尺度物理
应用物理
化学物理
摘要
纳米线的自限制氧化此前被描述为反应控制或扩散控制过程。本文在扩散控制模型中引入有限反应区的概念，基于此建立了硅纳米线氧化的二维圆柱动力学模型，并推广至钨。该模型中，扩散系数受膨胀性氧化反应诱导应力的影响。对氧化过程与曲率和温度的依赖关系进行了建模。模型预测与现有实验数据吻合良好。所建立的模型可用于量化二维纳米结构中的氧化过程，并有望促进通过热氧化技术制备此类结构。https://doi.org/10.1016/j.taml.2016.08.002
引用
@article{arxiv.1911.08908,
title = {Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires},
author = {Mingchao Liu and Peng Jin and Zhiping Xu and Dorian A. H. Hanaor and Yixiang Gan and Changqing Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.08908},
year = {2019}
}
备注
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