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二次谐波生成研究 p 型掺杂对 H-Si(111) 氧化的影响

材料科学 2011-09-08 v1 化学物理光学

作者: Bilal Gokce , Daniel B. Dougherty , Kenan Gundogdu

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摘要

原子力显微镜和二次谐波生成数据显示，硼掺杂提高了 H 终端硅的氧化速率。空穴导致 Si-H 向上键的反应性增加幅度大于 Si-Si 背键。

关键词

p 型掺杂硅氧化 H 终端硅二次谐波生成原子力显微镜硼掺杂 Si-H 键反应性

引用

@article{arxiv.1109.1486,
  title  = {The effect of p-type doping on the oxidation of H-Si(111) studied by second-harmonic generation},
  author = {Bilal Gokce and Daniel B. Dougherty and Kenan Gundogdu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1109.1486},
  year   = {2011}
}