(111) Si 氧化过程中的键特异性反应动力学：n 型掺杂的影响
材料科学
2015-05-20 v1 其他凝聚态物理
摘要
众所周知，在硅的热氧化过程中，较高的自由载流子浓度会导致较高的氧化物生长速率。然而，电子和空穴在氧化化学中的作用尚不清楚。在此，我们报告了关于 H 终端 (111)Si 氧化的实时二次谐波数据，这些数据表明高浓度的电子增加了外层 Si-Si 背键相对于 Si-H 上键的化学反应性。然而，在室温下，所有样品的自然氧化物厚度均稳定在 1 nm 附近，而与不同键的化学动力学无关。
引用
@article{arxiv.1011.4386,
title = {Bond-specific reaction kinetics during the oxidation of (111) Si: Effect of n-type doping},
author = {Bilal Gokce and David E. Aspnes and Gerald Lucovsky and Kenan Gundogdu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.4386},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 3 figures