Si(111)氢钝化表面上的1-十八碳烯单分子层：衬底掺杂的影响
材料科学
2009-11-10 v1 软凝聚态物质
摘要
我们研究了附着在氢钝化(111)硅表面上的1-十八碳烯单分子层的电子特性及其与结构特性的关系。分子通过紫外光照激活的C=C与Si-H之间的自由基反应进行附着。我们比较了在不同类型（n型和p型）和不同掺杂浓度（从低掺杂~1E14 cm⁻³到高掺杂~1E19 cm⁻³）的硅衬底上形成的单分子层的结构和电学特性。我们表明，在n型、p型和p⁺型硅上形成的单分子层排列致密，并且作为纳米厚度的绝缘薄膜性能优异，漏电流低至~1E-7 A·cm⁻²，电容-电压特性质量高。在n⁺型硅上形成的单分子层更为无序，因此当嵌入硅/单分子层/金属结中时，表现出更大的漏电流密度（>1E-4 A·cm⁻²）。在n⁺型硅上获得的较差的结构和电子特性，突显了表面势和表面费米能级位置在有机单分子层化学吸附过程中的重要作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0405361,
title = {1-octadecene monolayers on Si(111) hydrogen-terminated surfaces: effects of substrate doping},
author = {Corinne Miramond and Dominique Vuillaume},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0405361},
year = {2009}
}
备注
33 pages, 8 figures, to be published J. Appl. Phys