Ni掺杂MoS$_2$中增强的层间相互作用及掺杂位点的结构与电子表征
材料科学
2021-07-28 v3
摘要
MoS 的晶体结构具有面内强共价键和面外弱范德华相互作用,产生了用于固体润滑、光电子学和催化等应用的有趣性质,并可通过过渡金属掺杂增强。然而,改进的机理甚至掺杂材料的结构都可能不明确,我们通过理论计算予以解决。基于我们之前关于块体 2H 相 Ni 掺杂的工作,现在我们与多型体(1H 单层与 3R 块体)比较,以确定 Ni 的有利位点以及掺杂对结构、电子性质和层解离能的影响。最有利的中间层/吸附位点是 3R(类似 2H)的四面体插层和 1H 的 Mo 顶位。相对能量表明在取代 Mo 或 S 时可能从 2H 相变为 3R 相。我们发现了可用于识别掺杂位点的结构与电子性质,包括 Mo 取代的 3R 与 2H 中的金属性行为,以及 Mo 和 S 取代的 1H 中的带隙内态,这可能具有有趣的光电子应用。我们观察到 Ni 掺杂 MoS 中层间相互作用的大幅增强,与其他过渡金属的效果相反。对于润滑应用,这种增加的层解离能可能是低磨损的机理。我们的系统研究显示了掺杂浓度的影响,并外推至低掺杂极限。本工作深入揭示了先前不明的 Ni 掺杂 MoS 结构及其实验探测方法、掺杂单层与块体系统的能量与结构关系、掺杂下的电子性质,以及掺杂对层间相互作用的影响。
引用
@article{arxiv.2008.04301,
title = {Enhanced interlayer interactions in Ni-doped MoS$_2$, and structural and electronic signatures of doping site},
author = {Rijan Karkee and Enrique Guerrero and David A. Strubbe},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.04301},
year = {2021}
}
备注
31 pages, 8 figures