硅烯中H-Si键引起的异常电子特性：一种识别氢浓度的方法
材料科学
2015-10-28 v2
摘要
如采用第一性原理计算的研究所揭示，氢化硅烯由于强H-Si键而具有独特的性质。各种电荷分布、键长、能带和态密度强烈依赖于不同的氢构型与浓度。强H-Si键与弱sp3杂化的竞争主导了电子特性。椅式构型属于半导体，而顶式构型在费米能级处显示出近无色散能带。两种体系均在中间能量处呈现与H相关的部分平带，并在浓度降低过程中低能\pi带恢复。它们的态密度在中间能量处表现出显著峰，且顶式体系在E=0处具有类delta函数峰。这些峰的强度随浓度减小逐渐减弱，为在扫描隧道谱实验中识别H浓度提供了有效方法。
引用
@article{arxiv.1502.06059,
title = {H-Si bonding-induced unusual electronic properties of silicene: a method to identify hydrogen concentration},
author = {Shih-Yang Lin and Shen-Lin Chang and Ngoc Thanh Thuy Tran and Po-Hua Yang and Ming-Fa Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.06059},
year = {2015}
}