基于第一性原理电子结构计算对HfV$_2$Ga$_4$与ScV$_2$Ga$_4$非常规超导的见解
超导电性
2018-07-25 v1 材料科学
摘要
HfVGa化合物最近被报道表现出不寻常的体超导性质，并可能具有多带行为。为深入了解其性质，我们基于密度泛函理论（DFT）进行了第一性原理电子结构计算。我们的结果表明，费米能处的态密度主要由V--态构成。McMillan公式预测超导临界温度（）约为K，与K的实验值极为吻合，表明该新化合物中的超导性可由电声子机制解释。计算的价电荷密度图清晰显示了Hf与V原子间具有一维高占据V链的方向性成键，以及Hf--Ga和V--Ga键间的某些离子性特征。最后，我们表明有电子占据费米能级上两个具有不同特征的不同能带，这支持了可能存在多带超导的实验迹象。基于这些结果，我们提出了对相关化合物ScVGa的研究，表明其具有相似的电子性质，但可能具有比HfVGa更高的。
引用
@article{arxiv.1805.08285,
title = {Insights on unconventional superconductivity in HfV$_2$Ga$_4$ and ScV$_2$Ga$_4$ from first principles electronic structure calculations},
author = {P. P. Ferreira and F. B. Santos and A. J. S. Machado and H. M. Petrilli and L. T. F. Eleno},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.08285},
year = {2018}
}
备注
14 pages, 5 figures