SiO2衬底上变形石墨烯的大气氧结合与空穴掺杂
材料科学
2012-01-23 v1 软凝聚态物质
摘要
利用显微拉曼光谱和扫描隧道显微镜，我们研究了二氧化硅衬底上石墨烯的结构畸变与电学空穴掺杂之间的关系。观察到的拉曼G带上移代表电荷掺杂而非压应变。两个独立因素控制着掺杂：(1) 石墨烯与衬底的耦合程度，以及(2) 暴露于氧气和湿气。热退火由于与SiO2的紧密耦合而诱导出显著的结构畸变，并激活了双原子氧从石墨烯接受电荷的能力。气体流动实验表明，干氧可逆地掺杂石墨烯；在湿气存在下且长时间作用后，掺杂变得更强且更不可逆。我们提出，氧分子阴离子通过水溶剂化和与二氧化硅表面的静电结合而得以稳定。
引用
@article{arxiv.1011.3108,
title = {Atmospheric Oxygen Binding and Hole Doping in Deformed Graphene on a SiO2 Substrate},
author = {Sunmin Ryu and Li Liu and Stephane Berciaud and Young-Jun Yu and Haitao Liu and Philip Kim and George W. Flynn and Louis E. Brus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.3108},
year = {2012}
}
备注
17 pages, 5 figures