疏水基底上的石墨烯：环境条件下掺杂降低与迟滞抑制
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v1
摘要
通过机械剥离和标准光刻工艺在热氧化硅上制备的石墨烯，其本征掺杂水平变化显著，且似乎强烈依赖于加工细节和基底形貌。此外，此类石墨烯器件的输运性质在环境条件下存在迟滞行为。该迟滞现象可能源于基底或石墨烯表面的偶极吸附物。本文证明，通过将石墨烯沉积在薄层疏水自组装六甲基二硅氮烷（HMDS）上，即使在环境空气中也能可靠地获得低本征掺杂水平并强烈抑制迟滞行为。HMDS作为一种可重复的模板，可防止偶极物质的吸附，并可能屏蔽基底缺陷的影响。
引用
@article{arxiv.0910.2596,
title = {Graphene on a hydrophobic substrate: Doping reduction and hysteresis suppression under ambient conditions},
author = {Myrsini Lafkioti and Benjamin Krauss and Timm Lohmann and Ute Zschieschang and Hagen Klauk and Klaus v. Klitzing and Jurgen H. Smet},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.2596},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 3 figures