关联石墨烯场效应晶体管中的迟滞与电化学
介观与纳米尺度物理
2012-09-25 v1
摘要
基于石墨烯的场效应晶体管（FET）中观察到的迟滞和常见的 p 型掺杂在过去几年已有报道讨论。然而，对实验工作的解释存在差异；迟滞现象背后的机制以及石墨烯与其环境之间电荷转移的作用尚未阐明。我们分析了从石墨烯电阻的标准背栅依赖关系中提取的潮湿环境中石墨烯 FET 的电化学与电子学性质之间的关系。我们认为，在常规 SiO2 衬底上的石墨烯 FET 在环境条件下表现出与电化学诱导迟滞相对应的行为，并且可能由与石墨烯对局域 pH 值敏感性相关的电荷俘获机制引起。
引用
@article{arxiv.1110.1541,
title = {Relating Hysteresis and Electrochemistry in Graphene Field Effect Transistors},
author = {Alina Veligura and Paul J. Zomer and Ivan J. Vera-Marun and Csaba Józsa and Pavlo I. Gordiichuk and Bart J. van Wees},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.1541},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 3 figures