高质量石墨烯/h-BN 器件中的热激活滞回
介观与纳米尺度物理
2016-06-09 v1
摘要
我们报道了高质量石墨烯/h-BN 器件中电阻的栅极滞回现象。在高于 375K 的温度下，我们观察到电阻随外加栅极电压变化的热激活滞回行为。为探究该滞回现象的起源，我们设计了涉及石墨烯/h-BN 器件与不同底层基底（如 SiO2/Si 和石墨）的异质结构；其中重掺杂硅和石墨分别用作背栅电极。电阻的栅极滞回行为仅出现在具有 h-BN/SiO2 界面的器件中，并且依赖于所施加栅极电场的方向与扫描速率。最后，我们提出了一个唯象模型，该模型基于被困在 h-BN/SiO2 处的电荷解释了我们的所有发现。无疑，石墨烯电阻中的此种滞回行为对石墨烯器件在高温下的应用构成了技术难题，但反过来看，它可为数字电子学与石墨烯存储器件的应用开辟新途径。
引用
@article{arxiv.1603.04872,
title = {Thermo Activated Hysteresis on High Quality Graphene/h-BN Devices},
author = {A. R. Cadore and E. Mania and K. Watanabe and T. Taniguchi and R. G. Lacerda and L. C. Campos},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.04872},
year = {2016}
}