石墨烯晶体管对溶液中 pH 变化不敏感
介观与纳米尺度物理
2015-05-28 v1 材料科学
摘要
我们观察到，当缓冲液的 pH 值改变时，制备态石墨烯场效应晶体管（GFET）的转移特性中栅压偏移非常小。这一观察结果与基于硅的离子敏感 FET 形成鲜明对比。如果石墨烯表面覆盖一层疏水性氟苯层，GFET 的低栅压偏移可进一步降低。相反，若代之以薄氧化铝层，则会出现相反情况。这表明洁净石墨烯不感知质子的化学势。因此，GFET 可用作水性电解质中的参比电极。我们的发现为近期文献中已报道的 GFET 多种多样的 pH 诱导栅压偏移现象提供了新的认识。
引用
@article{arxiv.1105.0795,
title = {Graphene transistors are insensitive to pH changes in solution},
author = {Wangyang Fu and Cornelia Nef and Oren Knopfmacher and Alexey Tarasov and Markus Weiss and Michel Calame and Christian Schönenberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.0795},
year = {2015}
}